今朝天下列国研制的硅太阳能太阳 品种单一，首要系列有单晶、多晶、非晶硅几种。此中单晶硅太阳能太阳 占50%，多晶硅太阳 占20%、非晶占30%。我国光伏发电成长需处置的关头题目。太阳能光伏发电成长的瓶颈是本钱高。

为此，需加大研发力度，集合在下降本钱和进步效力的关头手艺上有所冲破，首要包含：

a）晶体硅太阳 手艺。下降太阳硅资料的制备本钱：开辟特地用于晶体硅太阳能太阳 的硅资料，是出产高效和低本钱太阳太阳 的根基前提；同时实现硅资料国产化和进步机能，从财产链的泉源，抓好下降本钱任务。进步太阳 /组件转换效力：高效钝化手艺，高效陷光手艺，挑选性发射区，背外表场，细栅或单面手艺，封装资料的最好折射率等高效封装手艺等。光伏手艺的成长以薄膜太阳 为标的目的，高效力、高不变性、低本钱是光伏太阳 成长的根基准绳。

单晶硅在太阳能的有用操纵傍边，太阳能光电操纵是近年来成长最快，也是最具活气的研讨范畴。而硅资料太阳能太阳 无疑是市场的主体，硅基（多晶硅、单晶硅）太阳能太阳 占80%以上，每一年全天下需花费硅资料3000t摆布。出产太阳能太阳 用单晶硅，固然利润比拟低，可是市场须要量大，求过于供，若是停止范围化出产，其利润依然很可观。今朝，中国拟建和在建的太阳能太阳 出产线每一年将须要680多吨的太阳能太阳 用多晶硅和单晶硅资料，此中单晶硅400多吨，并且，须要量还以每一年15%~20%的增添率疾速增添。

硅系列太阳能太阳 中，单晶硅太阳能太阳 在尝试室里最高的转换效力为23%，而范围出产的单晶硅太阳能太阳 ，其效力为15%，手艺也最为成熟。高机能单晶硅太阳 是成立在高品质单晶硅资料和相干的成熟的加工处置工艺根本上的。此刻单晶硅的太阳 工艺已近成熟，在太阳 建造中，普通都接纳外表织构化、发射区钝化、分区搀杂等手艺，开辟的太阳 首要有立体单晶硅太阳 和刻槽埋栅电极单晶硅太阳 。进步转化效力首要是靠单晶硅外表微布局处置和分区搀杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能体系研讨所坚持着天下抢先程度。该研讨所接纳光刻拍照手艺将太阳 外表织构化，制成倒金字塔布局。经由进程改良了的电镀进程增添栅极的宽度和高度的比率：经由进程以上制得的太阳 转化效力跨越23%。单晶硅具备完全的金刚石布局。经由进程搀杂获得n，P型单晶硅，进而制备出p/n结、二极管及晶体管，从而使硅资料有了真实的用处。单晶硅太阳能太阳 转换效力无疑是最高的，在大范围操纵和财产出产中仍占有主导位置，但因为受单晶硅资料价钱及响应的烦琐的太阳 工艺影响，导致单晶硅本钱价钱居高不下，要想大幅度下降其本钱长短常坚苦的。

多晶硅尽人皆知，操纵太阳能有很多长处，光伏发电将为人类供给首要的能源，但今朝来说，要使太阳能发电具备较大的市场，被泛博的花费者接管，进步太阳太阳 的光电转换效力，下降出产本钱应当是咱们寻求的最大方针，从今朝国际太阳太阳 的成长进程能够看出其成长趋向为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜资料（包含微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。从财产化成长来看，重心已由单晶向多晶标的目的成长，首要原因为：（1）可供给太阳太阳 的头尾料越来越少；（2）对太阳太阳 来说，方形基片更合算，经由进程浇铸法和间接凝结法所获得的多晶硅可间接获得方形资料；（3）多晶硅的出产工艺不时获得停顿，全主动浇铸炉每出产周期（50小时）可出产200kg以上的硅锭，晶粒的尺寸到达厘米级；（4）因为近十年单晶硅工艺的研讨与成长很快，其工艺也被操纵于多晶硅太阳 的出产，比方挑选侵蚀发射结、背外表场、侵蚀绒面、外表和体钝化、细金属栅电极，接纳丝网印刷手艺可以使栅电极的宽度下降到很小的范围，疾速热退火手艺用于多晶硅的出产可大大延长工艺时候，单片热工序时候可在一分钟以内实现，接纳该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的太阳 转换效力跨越14%。多晶硅太阳能太阳 具备怪异的上风，与单晶硅比拟，多晶硅半导体资料的价钱比拟昂贵，可是因为它存在着较多的晶粒间界而有较多的缺点。多晶硅太阳能太阳 的尝试室最高转换效力为18%，财产范围出产的转换效力为12%~14%。今朝，太阳能多晶硅首要有三个来历，一是半导体多晶硅的碎片；二是半导体多晶硅的副产物，三是半导体多晶硅厂商用过剩的产能出产的太阳能多晶硅。高纯多晶硅质料是半导体财产和光伏财产配合的下游原资料，2003年年末以来，光伏财产多晶硅质料求过于供，市场欠缺很是严峻。多晶硅因为本钱低，制备简略，并能与传统的硅工艺手艺相容，是以它在一些场所成为单晶硅的替换品。