太阳能太阳 的半导体中载流子有分散活动和漂移活动两种活动体例。载流子在电场感化下的定向活动称为漂移活动.在半导体中，若是载流子浓度散布不平均，因为浓度差，载流子将会从浓度高的地区向浓度低的地区活动，这类活动称为分散活动。将一块半导体的一侧搀杂成P型半导体，另外一侧搀杂成N型半导体，在两种半导体的交壤面处将构成一个特别的薄层→PN结

太阳能太阳 的pN结是接纳差别的搀杂工艺，将p型半导体与N型半导体建造在统一块硅片上，在它们的交壤面就构成pN结。

分散活动：物资老是从浓度高的处所向浓度低的处所活动，这类因为浓度差而呈现的活动称为分散活动。

杂质半导体：经由过程分散工艺，在本征半导体中掺入少许杂质元素，便可得到杂质半导体。

按掺入的杂质元素不必，可构成N型半导体和p型半导体；节制掺入杂质元素的浓度，便可节制杂质半导体的导电机能。

太阳能太阳 的N型半导体：在纯洁的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之代替晶格中硅原子的地位，就构成了N型半导体。

因为杂质原子的最外层有五个价电子，以是除与其四周硅原子构成共价键外，还多出一个电子。多出的电子不受共价键的束厄局促，成为自在电子。N型半导体中，自在电子的浓度大于空穴的浓度，故称自在电子为大都载流子，空穴为多数载流子。因为杂质原子能够供给电子，故称之为檀越原子。p型半导体：在纯洁的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之代替晶格中硅原子的地位，就构成了p型半导体。

因为杂质原子的最外层有三个价电子，以是当它们与其四周硅原子构成共价键时，就呈现了一个“空位”，当硅原子的最外层电子弥补此空位时，其共价键中便呈现一个空穴。因此p型半导体中，空穴为多子，自在电子为少子。因杂质原子中的空位接收电子，故称之为受主原子。

当把p型半导体和N型半导体建造在一路时，在它们的交壤面，两种载流子的浓度差很大，因此p区的空穴必然向N区分散，与此同时，N区的自在电子也必然向p区分散，如图示。因为分散到p区的自在电子与空穴复合，而分散到N区的空穴与自在电子复合，以是在交壤面四周多子的浓度降落，p区呈现负离子区，N区呈现正离子区，它们是不能挪动的，称为空间电荷区，从而构成内建电场ε。

跟着分散活动的停止，空间电荷区加宽，内建电场加强，其标的目的由N区指向p区，恰好禁止分散活动的停止。

漂移活动：在电场力用处下，载流子的活动称为漂移活动。

当空间电荷区构成后，在内建电场用处下，少子呈现飘移活动，空穴从N区向p区活动，而自在电子从p区向N区活动。在无外电场和别的激起用处下，到场分散活动的多子数量即是到场漂移活动的少子数量，从而到达静态均衡，构成pN结，如图示。此时，空间电荷区具备必然的宽度，电位差为ε=Uho，电流为零。