18650太阳 市场利用化比拟普遍，今朝首要风行的是18650锂离子太阳 ，其余品种的18650太阳 已起头渐渐加入市场。那末18650太阳集团 掩护板怎样设想？这个18650太阳集团 掩护板不是牢固的，根基是定制类的太阳 掩护板。

太阳集团 的掩护功效凡是由掩护电路板和PTC等电流器件协同实现，掩护板是由电子电路构成，在-40℃至+85℃的环境下时辰精确的监督电芯的电压和充放回路的电流，实时节制电流回路的通断;PTC在低温环境下防止太阳 产生卑劣的破坏。

通俗18650太阳集团 掩护板凡是包含节制IC、MOS开关、电阻、电容及帮助器件FUSE、PTC、NTC、ID、存储器等。此中节制IC，在统统一般的环境下节制MOS开关导通，使电芯与外电路导通，而当电芯电压或回路电流跨越划定值时，它立即节制MOS开关关断，掩护电芯的宁静。

在太阳集团 掩护板一般的环境下，Vdd为高电平，Vss，VM为低电平，DO、CO为高电平，当Vdd，Vss，VM任何一项参数变更时，DO或CO真个电平将产生变更。

1、一般状况

在一般状况下电路中N1的“CO”与“DO”脚都输入高电压，两个MOSFET都处于导通状况，太阳 能够自在地停止充电和放电，因为MOSFET的导通阻抗很小，凡是小于30毫欧，是以其导通电阻对电路的机能影响很小。此状况下掩护电路的耗损电流为μA级，凡是小于7μA。

2、过充电掩护

锂离子太阳 请求的充电体例为恒流/恒压，在充电早期，为恒流充电，跟着充电进程，电压会回升到4.2V(按照正极资料差别，有的太阳 请求恒压值为4.1V)，转为恒压充电，直至电流愈来愈小。太阳 在被充电进程中，若是充电器电路落空节制，会使太阳 电压跨越4.2V后持续恒流充电，此时太阳 电压仍会持续回升，当太阳 电压被充电至跨越4.3V时，太阳 的化学副反映将加重，会致使太阳 破坏或呈现宁静题目。在带有掩护电路的太阳 中，当节制IC检测到太阳 电压到达4.28V(该值由节制IC决议，差别的IC有差别的值)时，其“CO”脚将由高电压改变为零电压，使V2由导通转为关断，从而堵截了充电回路，使充电器没法再对太阳 停止充电，起到过充电掩护感化。而此时因为V2自带的体二极管VD2的存在，太阳 能够经由进程该二极管对内部负载停止放电。在节制IC检测到太阳 电压跨越4.28V至收回关断V2旌旗灯号之间，另有一段延时时候，该延时时候的是非由C3决议，凡是设为1秒摆布，以防止因搅扰而形成误判定。

3、过放电掩护

太阳 在对内部负载放电进程中，其电压会跟着放电进程逐步降落，当太阳 电压降至2.5V时，其容量已被完整放光，此时若是让太阳 持续对负载放电，将形成太阳 的永远性破坏。在太阳 放电进程中，当节制IC检测到太阳 电压低于2.3V(该值由节制IC决议，差别的IC有差别的值)时，其“DO”脚将由高电压改变为零电压，使V1由导通转为关断，从而堵截了放电回路，使太阳 没法再对负载停止放电，起到过放电掩护感化。而此时因为V1自带的体二极管VD1的存在，充电器能够经由进程该二极管对太阳 停止充电。因为在过放电掩护状况下太阳 电压不能再降落，是以请求掩护电路的耗损电流极小，此时节制IC会进入低功耗状况，全部掩护电路耗电会小于0.1μA。在节制IC检测到太阳 电压低于2.3V至收回关断V1旌旗灯号之间，也有一段延时时候，该延时时候的是非由C3决议，凡是设为100毫秒摆布，以防止因搅扰而形成误判定.

4、短路掩护

太阳 在对负载放电进程中，若回路电流大到使U>0.9V(该值由节制IC决议，差别的IC有差别的值)时，节制IC则判定为负载短路，其“DO”脚将敏捷由高电压改变为零电压，使V1由导通转为关断，从而堵截放电回路，起到短路掩护感化。短路掩护的延时时候极短，凡是小于7微秒。其任务道理与过电流掩护近似，只是判定体例差别，掩护延时时候也不一样。除节制IC外，电路中另有一个主要元件，便是MOSFET，它在电路中起着开关的感化，因为它间接串接在太阳 与内部负载之间，是以它的导通阻抗对太阳 的机能有影响，被选用的MOSFET较好时，其导通阻抗很小，太阳 包的内阻就小，带载才能也强，在放电时其耗损的电能也少。

5、过电流掩护

因为锂离子太阳 的化学特征，太阳 出产厂家划定了其放电电流最大不能跨越2C(C=太阳 容量/小时)，当太阳 跨越2C电放逐电时，将会致使太阳 的永远性破坏或呈现宁静题目。太阳 在对负载一般放电进程中，放电电流在颠末串连的2个MOSFET时，因为MOSFET的导通阻抗，会在其两头产生一个电压，该电压值U=I*RDS*2，RDS为单个MOSFET导通阻抗，节制IC上的“V-”脚对该电压值停止检测，若负载因某种缘由致使非常，使回路电流增大，当回路电流大到使U>0.1V(该值由节制IC决议，差别的IC有差别的值)时，其“DO”脚将由高电压改变为零电压，使V1由导通转为关断，从而堵截了放电回路，使回路中电流为零，起到过电流掩护感化。在节制IC检测到过电流产生至收回关断V1旌旗灯号之间，也有一段延时时候，该延时时候的是非由C3决议，凡是为13毫秒摆布，以防止因搅扰而形成误判定。在上述节制进程中可知，其过电流检测值巨细不只取决于节制IC的节制值，还取决于MOSFET的导通阻抗，当MOSFET导通阻抗越大时，对一样的节制IC，其过电流掩护值越小。

18650太阳集团 掩护板设想注重事变：

1、过充电检出电压：在凡是状况下，Vdd逐步晋升至CO端由高电平变为低电日常平凡VDD-VSS间电压。

2、过充电消除电压：在充电状况下，Vdd逐步降落至CO端由低电平变为高电日常平凡VDD-VSS间电压。

3、过放电检出电压：凡是状况下，Vdd逐步降落至DO端由高电平变为低电日常平凡VDD-VSS间电压。

4、过放电消除电压：在过放电状况下，Vdd逐步回升到DO端由低电平变为高电日常平凡VDD-VSS间电压。

5、过电流1检出电压：在凡是状况下，VM逐步升至DO由高电平变为低电日常平凡VM-VSS间电压。

6、过电流2检出电压：在凡是状况下，VM从OV起以1ms以上4ms以下的速率升到DO端由高电平变为低电日常平凡VM-VSS间电压。

7、负载短路检出电压：在凡是状况下，VM以OV起以1μS以上50μS以下的速率升至DO端由高电平变为低电日常平凡VM-VSS间电压。

8、充电器检出电压：在过放电状况下，VM以OV逐步降落至DO由低电平变为变为高电日常平凡VM-VSS间电压。

9、凡是任务时耗损电流：在凡是状况下，流以VDD端子的电流(IDD)即为凡是任务时耗损电流。

10、过放电耗损电流：在放电状况下，流经VDD端子的电流(IDD)即为过放逐电耗损电流。