1、锂电掩护芯片一般状况

当一切太阳 电压都在过充检测电压（Voc）和过放检测电压（Vod）之间，且VINI端电压在过流检测电压（Vec1）和非常充电检测电压（Vabc）之间，则CW1055处于一般任务状况。

2、锂电掩护芯片过充电状况

太阳集团 掩护芯片一般状况下，肆意一节太阳 电压高于过充检测电压（Voc），且跨越过充掩护提早时候（Toc），CO输入高阻态关断充电MOSFET，CW1055进入过充掩护状况。

在过充掩护延时时候（Toc）内，若所检测的太阳 电压低于过充检测电压（Voc）的时候跨越过充重置延时（Treset），则过充积累的提早时候（Toc）会被重置。不然，太阳 电压的降落就会被以为是有关的搅扰从而被屏障。

3、锂电掩护芯片过充电掩护消除前提：

1.一切太阳 电压处于过充消除电压（Vocr）以下且跨越过充消除提早时候（Tocr）。

2.VM端电压大于负载检测电压（Vload）且一切太阳 电压都低于过充检测电压（Voc）。

4、锂电掩护芯片过放电状况

一般状况下（无负载），肆意一节太阳 电压低于过放掩护电压（Vod），且跨越过放掩护提早时候（Tod），DO输入低电平关断放电 MOSFET，CW1055进入过放掩护状况。同时CO输入高阻态，关断充电 MOSFET。

5、过放电掩护消除前提：

1.VM处于休眠检测电压（Vslp）和充电器检测电压（Vcharge）之间。一切太阳 电压高于过放消除电压（Vodr）且坚持跨越过放消除延时（Todr）。

2.VM电压小于充电器检测电压（Vcharge）且一切太阳 都高于过放掩护电压（Vod）。

6、锂电掩护芯片休眠状况

CW1055进入过放掩护状况，并跨越休眠延时时候（Tslp），则CW1055会进入休眠状况。DO坚持低电平，CO坚持高阻态，坚持充放电MOSFET的状况。休眠状况消除前提：VM电压处于Vslp电压以下。

7、锂电掩护芯片过电流状况

CW1055内置三级过流检测，过流1，过流2和短路掩护。

掩护机制：经由过程VINI端检测主回路上检流电阻的压降，来判定是不是停止响应的过流掩护。

以过流1为例，放电电流跟从外部负载变更，VINI端检测到检流电阻上的电压大于过流掩护阀值（Vec1）并坚持跨越过流掩护提早时候（Tec1），DO输入低电平关断放电MOSFET，同时CO输入高阻关断充电MOSFET。

CW1055进入过流掩护状况。

在过流掩护状况，ECR端子输入VDD电压驱动外部 MOSFET翻开，将限流电阻毗连至放电回路，电阻的阻值决议了放电规复电流的巨细。

过流消除前提：

VM端子的电压低于VDD/2，过流掩护消除。

8、锂电掩护芯片预充电

CW1055进入过放掩护（Vod）后，CO、DO端子封闭，充放电MOSFET封闭。太阳 充电时，PRE端子驱动外置MOSFET与VDD相接构成一个小电流的充电回路。一旦一切太阳 电压跨越过放掩护电压（Vod）则进入一般充电状况，即CO=VDD、PRE=高阻态。

9、锂电掩护芯片非常太阳 检测

在预充电状况，肆意一节太阳 低于非常太阳 检测电压（Vbad）以下时，计时器起头任务，充电三分钟后，若太阳 电压仍低于非常太阳 检测电压（Vbad），CW1055以为该太阳 已破坏，PRE端子封闭预充电MOSFET，停止充电。平衡功效

太阳 容量平衡功效用来平衡太阳 组中各节太阳 容量。

在CW1055系列产物中，若某一节太阳 电压高于平衡启动电压（Vbal），而其余太阳 电压低于平衡启动电压（Vbal）时，平衡开启，外置放电回路导通。当开启放电回路的太阳 电压降至平衡迟滞电压（Vbalhys）

以下时，或此节太阳 电压到达过充检测电压（Voc），平衡封闭。

CW1055能够最多同时开启四路平衡。一切太阳 都高于平衡启动电压（Vbal）时，平衡不会开启。经由过程设置，CW1055能够挑选过充掩护后平衡持续任务。即，太阳 过充掩护后，太阳 外置平衡放电回路依然持续任务，当一切太阳 电压均低于过充消除电压（Vocr）时，CW1055翻开CO端MOSFET，太阳 持续充电。如斯轮回直至一切太阳 电压都在平衡启动电压（Vbal）之上。

CW1055可选是不是接纳分时平衡。

分时平衡，即当平衡启动时，每一个通道的平衡顺次开启，单通道的开启时候8ms。若两个太阳 同时平衡时，每一个通道各顺次任务8ms。即便单通道开启刹时太阳 电压低于平衡答复值，也须要做完8ms的放电电流后再封闭。

分时平衡能够使平衡电路热耗散设想的操纵率最大化，即增添均匀平衡电流。

太阳 节数挑选

SEL1、SEL2是太阳 串连数挑选端子，能够经由过程它们来挑选太阳 串连数目，以下表：

当CW1055的VDD电压小于0V充电起头电压（Vov），毗连充电器且充电器输入电压高于PRE 端 M OSFET开启阀值时，预充电MOSFET开启，0V太阳 起头充电。

10、锂电掩护芯片提早时候设置

提早时候是指CW1055从检测到电压到达设定的掩护阀值至CW1055驱动CO/DO端输入高/低电平的时候。

CW1055的过充、过放、过流1和过流2掩护都能够经由过程外部电容来设置提早时候。

CW1055经由过程内置电流源给外部电容充电，一旦电容电压到达设定的电压阀值就触发掩护举措。

差别端口输入电流以下：

CCT=0.2uA；CDT=2uA；CIT=0.2uA提早时候T=1.6V·/I（s）以过充电掩护为例，CCT端毗连0.1uF的电容，提早时候T=（1.6*0.1u/0.2uA）s，即0.8s。

其余提早时候计较与过充掩护不异。

11、锂电掩护芯片的温度掩护

NTC电阻的阻值会跟着温度的变更而变更，若RCOT、RDOT端检测到的电压到达外部比拟阀值，且坚持Tcot/Tdot时候，充电过温掩护和放电过温掩护触发。

充电过温掩护后，充电MOSFET关断，但放电MOSFET翻开；放电过温掩护后，充放电MOSFET同时关断。

过温阀值设置步骤

1.挑选NTC电阻；

2.肯定充电过温掩护阀值，如：50℃；

3.按照NTC电阻的曲线图，找到50℃对应的电阻值，如35kQ；

4.利用不异阻值的一般电阻毗连至RCOT引脚；

5.放电过温掩护设置利用不异的体例，但电阻需毗连至RDOT引脚；

6.经由过程挑选电阻来设定适合的过温掩护温度CW1055利用一个NTC来到达差别的充电过暖和放电过温阀值设定。但此电路必须利用于充放电异口的利用设想。若是充放电同口，充电过暖和放电过温只能利用一个温度阀值。

CW1055可选高温掩护。

高温掩护只针对充电，在RCOT端停止设置，设置体例与过温掩护分歧。

若挑选高温掩护，充电过暖和放电过温只能利用一个温度阀值。