太阳集团 掩护电路图设想道理通俗是有简略到庞杂，是有一定的个性的，所差别的只是锂太阳 掩护板电路功效请求差别，电路才会有所差别。太阳集团 须要掩护，是因为太阳集团 自身的资料决议了它不能被过充、过放、过流、短路及超高温充放电，是以太阳集团 组件总会跟着一块精美的掩护板和一片电流保险器呈现。

太阳集团 掩护电路根本道理图：

太阳集团 掩护功效
太阳集团 的掩护功效凡是由掩护电路板和PTC等电流器件协同实现，掩护板是由电子电路构成，在-40℃至+85℃的环境下时辰精确的监督电芯的电压和充放回路的电流，实时节制电流回路的通断；PTC在高温环境下避免太阳 产生卑劣的破坏。

典范的太阳集团 掩护电路道理图

如上图所示，该掩护回路由两个ＭＯＳＦＥＴ（Ｖ１、Ｖ２）和一个节制ＩＣ（Ｎ１）外加一些阻容元件构成。节制ＩＣ担任监测太阳 电压与回路电流，并节制两个ＭＯＳＦＥＴ的栅极，ＭＯＳＦＥＴ在电路中起开关感化，别离节制着充电回路与放电回路的导通与关断，Ｃ３为延时电容，该电路具备过充电掩护、过放电掩护、过电流掩护与短路掩护功效，其任务道理阐发以下：
１、一般状况
在一般状况下电路中Ｎ１的“ＣＯ”与“ＤＯ”脚都输入高电压，两个ＭＯＳＦＥＴ都处于导通状况，太阳 能够自在地停止充电和放电，因为ＭＯＳＦＥＴ的导通阻抗很小，凡是小于３０毫欧，是以其导通电阻对电路的机能影响很小。此状况下掩护电路的耗损电流为μＡ级，凡是小于７μＡ。
２、过充电掩护
锂离子太阳 请求的充电体例为恒流／恒压，在充电早期，为恒流充电，跟着充电进程，电压会回升到４．２Ｖ（按照正极资料差别，有的太阳 请求恒压值为４．１Ｖ），转为恒压充电，直至电流愈来愈小。太阳 在被充电进程中，若是充电器电路落空节制，会使太阳 电压跨越４．２Ｖ后持续恒流充电，此时太阳 电压仍会持续回升，当太阳 电压被充电至跨越４．３Ｖ时，太阳 的化学副反映将加重，会致使太阳 破坏或呈现宁静题目。在带有掩护电路的太阳 中，当节制ＩＣ检测到太阳 电压到达４．２８Ｖ（该值由节制ＩＣ决议，差别的ＩＣ有差别的值）时，其“ＣＯ”脚将由高电压改变为零电压，使Ｖ２由导通转为关断，从而堵截了充电回路，使充电器没法再对太阳 停止充电，起到过充电掩护感化。而此时因为Ｖ２自带的体二极管ＶＤ２的存在，太阳 能够经由进程该二极管对内部负载停止放电。在节制ＩＣ检测到太阳 电压跨越４．２８Ｖ至收回关断Ｖ２旌旗灯号之间，另有一段延时时候，该延时时候的是非由Ｃ３决议，凡是设为１秒摆布，以避免因搅扰而形成误判定。
３、短路掩护
太阳 在对负载放电进程中，若回路电流大到使Ｕ＞０．９Ｖ（该值由节制ＩＣ决议，差别的ＩＣ有差别的值）时，节制ＩＣ则判定为负载短路，其“ＤＯ”脚将敏捷由高电压改变为零电压，使Ｖ１由导通转为关断，从而堵截放电回路，起到短路掩护感化。短路掩护的延时时候极短，凡是小于７微秒。其任务道理与过电流掩护近似，只是判定体例差别，掩护延时时候也不一样。除节制ＩＣ外，电路中另有一个主要元件，便是ＭＯＳＦＥＴ，它在电路中起着开关的感化，因为它间接串接在太阳 与内部负载之间，是以它的导通阻抗对太阳 的机能有影响，被选用的ＭＯＳＦＥＴ较好时，其导通阻抗很小，太阳 包的内阻就小，带载才能也强，在放电时其耗损的电能也少。
４、过电流掩护
因为锂离子太阳 的化学特征，太阳 出产厂家划定了其放电电流最大不能跨越２Ｃ（Ｃ＝太阳 容量／小时），当太阳 跨越２Ｃ电放逐电时，将会致使太阳 的永远性破坏或呈现宁静题目。太阳 在对负载一般放电进程中，放电电流在颠末串连的２个ＭＯＳＦＥＴ时，因为ＭＯＳＦＥＴ的导通阻抗，会在其两头产生一个电压，该电压值Ｕ＝Ｉ＊ＲＤＳ＊２，ＲＤＳ为单个ＭＯＳＦＥＴ导通阻抗，节制ＩＣ上的“Ｖ－”脚对该电压值停止检测，若负载因某种缘由致使非常，使回路电流增大，当回路电流大到使Ｕ＞０．１Ｖ（该值由节制ＩＣ决议，差别的ＩＣ有差别的值）时，其“ＤＯ”脚将由高电压改变为零电压，使Ｖ１由导通转为关断，从而堵截了放电回路，使回路中电流为零，起到过电流掩护感化。在节制ＩＣ检测到过电流产生至收回关断Ｖ１旌旗灯号之间，也有一段延时时候，该延时时候的是非由Ｃ３决议，凡是为１３毫秒摆布，以避免因搅扰而形成误判定。在上述节制进程中可知，其过电流检测值巨细不只取决于节制ＩＣ的节制值，还取决于ＭＯＳＦＥＴ的导通阻抗，当ＭＯＳＦＥＴ导通阻抗越大时，对一样的节制ＩＣ，其过电流掩护值越小。
５、过放电掩护
太阳 在对内部负载放电进程中，其电压会跟着放电进程逐步降落，当太阳 电压降至２．５Ｖ时，其容量已被完整放光，此时若是让太阳 持续对负载放电，将形成太阳 的永远性破坏。在太阳 放电进程中，当节制ＩＣ检测到太阳 电压低于２．３Ｖ（该值由节制ＩＣ决议，差别的ＩＣ有差别的值）时，其“ＤＯ”脚将由高电压改变为零电压，使Ｖ１由导通转为关断，从而堵截了放电回路，使太阳 没法再对负载停止放电，起到过放电掩护感化。而此时因为Ｖ１自带的体二极管ＶＤ１的存在，充电器能够经由进程该二极管对太阳 停止充电。因为在过放电掩护状况下太阳 电压不能再降落，是以请求掩护电路的耗损电流极小，此时节制ＩＣ会进入低功耗状况，全部掩护电路耗电会小于０．１μＡ。在节制ＩＣ检测到太阳 电压低于２．３Ｖ至收回关断Ｖ１旌旗灯号之间，也有一段延时时候，该延时时候的是非由Ｃ３决议，凡是设为１００毫秒摆布，以避免因搅扰而形成误判定。
在上述节制进程中可知，其过电流检测值巨细不只取决于节制IC的节制值，还取决于MOSFET的导通阻抗，当MOSFET导通阻抗越大时，对一样的节制IC，其过电流掩护值越小。
5、短路掩护
太阳 在对负载放电进程中，若回路电流大到使U>0.9V（该值由节制IC决议，差别的IC有差别的值）时，节制IC则判定为负载短路，其“DO”脚将敏捷由高电压改变为零电压，使T2由导通转为关断，从而堵截放电回路，起到短路掩护感化。短路掩护的延时时候极短，凡是小于7微秒。其任务道理与过电流掩护近似，只是判定体例差别，掩护延时时候也不一样。

通俗太阳集团 掩护板凡是包含节制IC、MOS开关、电阻、电容及帮助器件FUSE、PTC、NTC、ID、存储器等。此中节制IC，在统统一般的环境下节制MOS开关导通，使电芯与外电路导通，而当电芯电压或回路电流跨越划定值时，它立即节制MOS开关关断，掩护电芯的宁静。
在掩护板一般的环境下，Vdd为高电平，Vss，VM为低电平，DO、CO为高电平，当Vdd，Vss，VM任何一项参数变更时，DO或CO真个电平将产生变更。

太阳集团 的掩护功效凡是由掩护电路板和PTC等电流器件协同实现，掩护板是由电子电路构成，在-40℃至+85℃的环境下时辰精确的监督电芯的电压和充放回路的电流，实时节制电流回路的通断；PTC在高温环境下避免太阳 产生卑劣的破坏。
在掩护板一般的环境下，Vdd为高电平，Vss，VM为低电平，DO、CO为高电平，当Vdd，Vss，VM任何一项参数变更时，DO或CO真个电平将产生变更。
1、过充电检出电压：在凡是状况下，Vdd逐步晋升至CO端由高电平变为低电日常平凡VDD-VSS间电压。
2、过充电消除电压：在充电状况下，Vdd逐步降落至CO端由低电平变为高电日常平凡VDD-VSS间电压。
3、过放电检出电压：凡是状况下，Vdd逐步降落至DO端由高电平变为低电日常平凡VDD-VSS间电压。
4、过放电消除电压：在过放电状况下，Vdd逐步回升到DO端由低电平变为高电日常平凡VDD-VSS间电压。
5、过电流1检出电压：在凡是状况下，VM逐步升至DO由高电平变为低电日常平凡VM-VSS间电压。
6、过电流2检出电压：在凡是状况下，VM从OV起以1ms以上4ms以下的速率升到DO端由高电平变为低电日常平凡VM-VSS间电压。
7、负载短路检出电压：在凡是状况下，VM以OV起以1μS以上50μS以下的速率升至DO端由高电平变为低电日常平凡VM-VSS间电压。
8、充电器检出电压：在过放电状况下，VM以OV逐步降落至DO由低电平变为变为高电日常平凡VM-VSS间电压。
9、凡是任务时耗损电流：在凡是状况下，流以VDD端子的电流（IDD）即为凡是任务时耗损电流。
10、过放电耗损电流：在放电状况下，流经VDD端子的电流（IDD）即为过放逐电耗损电流。